专利详情

专利名称	一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法
申请号	CN201110324587.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103065931A	公开（授权）日	2013.04.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张苗;刘林杰;卞建涛;陈达;姜海涛;薛忠营;狄增峰
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法至一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明提供一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法，首先在Si衬底上依次外延生长中间薄层、Si外延层、及顶Si1-xGex层，其中Ge组分x为0 x≤0.5，并使Si1-xGex层的厚度不超过其生长在Si外延层上的临界厚度；然后对样品进行氦离子注入及氢离子，并使离子的峰值分布在中间薄层，经退火后使顶Si1-xGex层弛豫；最后将样品与支撑衬底键合，并依次进行预键合、剥离、以及加强键合作业，最后经选择性腐蚀去除残余的中间薄层及Si外延层，实现材料的层转移，本发明由于两次注入的离子都分布在薄层处，形成氢氦共注，有效降低剥离所需注入剂量，进而达到了提高生产效率和降低生产成本的目的。