专利详情

专利名称	一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法
申请号	CN201210587242.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103014847A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	狄增峰;郭庆磊;张苗;叶林;薛忠营;陈龙;王刚;高晓强
主分类号	C30B25/18(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/18(2006.01)I;C30B29/08(2006.01)I;C30B33/08(2006.01)I
专利有效期	一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法至一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法，该方法包括以下步骤：提供一GeOI衬底；在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层，其中，所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1-xAs/GeOI?结合体的临界厚度，x的取值范围为0～1；在该InxGa1-xAs层上外延Ge纳米薄膜层，形成Ge/InxGa1-xAs/GeOI?结合体；所述Ge纳米薄膜的厚度与所述GeOI衬底中顶层锗的厚度相等；且不超过Ge/InxGa1-xAs/GeOI结合体的临界厚度；利用光刻以及RIE技术将Ge/InxGa1-xAs/GeOI?结合体进行图形化并得到腐蚀窗口；湿法腐蚀，直至所述埋氧层被腐蚀完全，其余?Ge/InxGa1-xAs/Ge结合体与所述底层硅脱离。本发明所制备的张应变锗具有较低的位错密度，较高的单晶质量；通过该种方法所制备的张应变Ge薄膜具有应变大小任意可调的特点；制备的Ge薄膜应变大，迁移率高。