一种半导体结构
- 申请号：CN201090000830.X
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN202917448U
- 公开(公开)日：2013.05.01
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体结构 | ||
| 申请号 | CN201090000830.X | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202917448U | 公开（授权）日 | 2013.05.01 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体结构 至一种半导体结构 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 提供了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括：硅衬底(201)；形成于所述硅衬底(201)上的宽带隙半导体层(202)；以及形成于所述宽带隙半导体层(202)上的硅层(203)。短沟道效应能够得到抑制。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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