专利详情

专利名称	二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法
申请号	CN201210543709.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103011181A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	吴摞;滕大勇;李淑鑫;何微微;叶长辉
主分类号	C01B33/16(2006.01)I	IPC主分类号	C01B33/16(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法至二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法，使用溶液沉积法，在硅片上制备一层多孔银膜，以此银膜作为催化金属，放入氢氟酸/双氧水溶液中进行金属催化化学蚀刻，在硅片上制备出硅纳米线阵列结构，再放入加有氨水的水溶液中，通过金属银催化氨水氧化及蚀刻，制备出与硅衬底连接力小的二氧化硅纳米线阵列结构，取出样品后在其上涂覆一层硅胶，凝固后揭下即可实现二氧化硅纳米线阵列从硅衬底上剥离，通过银胶即可把这层带有纳米线阵列的有机物薄膜与任何衬底相粘接，实现二氧化硅纳米线阵列的转移。这种方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。