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用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法

  • 申请号:CN201210575643.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN103035841A
  • 公开(公开)日:2013.04.10
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法
申请号 CN201210575643.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103035841A 公开(授权)日 2013.04.10
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 纪兴龙;吴良才;宋志棠;朱敏;饶峰;封松林
主分类号 H01L45/00(2006.01)I IPC主分类号 H01L45/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I
专利有效期 用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法 至用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法 法律状态 授权
说明书摘要 本发明提供一种用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法,所述Ti-Ge-Te系列材料的化学式为:Ti1-x-yGexTey,其中0

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