专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201110297623.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103035708A	公开（授权）日	2013.04.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括半导体层以及位于该半导体层之上的绝缘层；第一半导体鳍片和第二半导体鳍片，并行地位于所述衬底之上；第一源/漏区和第二源/漏区，该第一源/漏区位于与所述第一半导体鳍片的两端相连接的第一源/漏结构中，该第二源/漏区位于与所述第二半导体鳍片的两端相连接第二源/漏结构中；第一栅堆叠和第二栅堆叠，分别位于所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片相背离的外侧侧壁上；其中，在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间存在介电层。本发明形成了两个独立的半导体器件，便于施加不同的源/漏电压进行控制。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。