专利详情

专利名称	基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器
申请号	CN201210551134.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103048043A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	苏州锦富新材料股份有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	张孟;李丰;潘革波;马慧军
主分类号	G01J1/42(2006.01)I	IPC主分类号	G01J1/42(2006.01)I;G01N27/12(2006.01)I
专利有效期	基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器至基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于无机半导体单晶网络结构的光或气体探测器，所述的探测器包括：敏感元件层、源电极和漏电极，其特征在于：所述敏感元件层由无机半导体单晶网络结构组成。和传统的探测器中采用的薄膜或多晶网络结构的敏感元件相比，单晶网络结构可以保证作为探测层的半导体材料拥有巨大的比表面积，增大了其与光或气体作用位点；同时单晶网络结构能够显著降低缺陷的数量，提高电子的输运特性。因此，利用本方法可以显著提高探测器的灵敏度，缩短响应时间，提高探测效率。