一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统
- 申请号:CN201210559664.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN103049397A
- 公开(公开)日:2013.04.17
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统 | ||
申请号 | CN201210559664.2 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103049397A | 公开(授权)日 | 2013.04.17 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 李顺芬;陈小刚;王玉婵;周密;李鸽子;王月青;陈一峰;许林海;陈后鹏;宋志棠 |
主分类号 | G06F12/08(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F12/08(2006.01)I |
专利有效期 | 一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统 至一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统,所述管理系统包括SATA接口控制器、微处理器、DRAM内存、本地总线、闪存控制器、及NAND闪存,所述固态硬盘内部管理系统中还包括PCRAM缓存,所述PCRAM缓存包括数据块置换区及映射表存储区,其中,所述数据块置换区用于存放从所述DRAM内存置换到所述PCRAM缓存的数据块,所述映射表存储区用于保存数据页逻辑地址到物理地址之间的映射表,本发明通过基于PCRAM的SSD内部缓存管理方法,实现对固态硬盘的写的缓存以克服固态硬盘的读写不均衡特性、有效提高写性能、减少固态硬盘的随机写操作及擦出操作,以此来延长固态硬盘的寿命及提高固态硬盘的整体I/O性能。 |
交易流程
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