专利详情

专利名称	一种防回流的原子层沉积设备及其使用方法
申请号	CN201110310015.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103046024A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉
主分类号	C23C16/44(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	一种防回流的原子层沉积设备及其使用方法至一种防回流的原子层沉积设备及其使用方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种防回流的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；气路部件包括第一管道和第二管道，第一管道和第二管道的末端结合处延伸出一段公共管道与沉积室相连；第一管道和第二管道上分别设有一对反应气体源瓶和清理气体源瓶，反应气体源瓶设置在第一管道和第二管道上靠近沉积室的一端。本发明还提供一种防回流的原子层沉积设备的使用方法。本发明提高了原子层沉积设备化学试剂的利用率，降低残留试剂对气体试剂的污染，减少了流量偏移，有效避免了气体回流现象，同时减少清理气体停留时间和化学试剂的去除时间，降低沉积反应周期时间。