专利详情

专利名称	用于相变存储器的相变材料
申请号	CN201110306813.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103050621A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	任堃;饶峰;宋志棠;彭程;宋宏甲;刘波
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	用于相变存储器的相变材料至用于相变存储器的相变材料	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，所述相变材料由Al，Sb，Te元素组成的通式为Al100-x-ySbxTey的材料，其中，40≤x＜100，y＜60。本发明提供的Al-Sb-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。基于Al-Sb-Te系列相变材料的相变存储器在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Sb-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。并且Al-Sb-Te基相变存储器在循环擦写107次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。本发明的富Sb的Al-Sb-Te材料在结晶状态下的没有产生不稳定的Te元素分相，保障了该材料反复相变之后的均匀性，有益于提高基于该材料的相变存储器的循环操作寿命。