专利详情

专利名称	MOSFET及其制造方法
申请号	CN201110308554.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103050525A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	MOSFET及其制造方法至MOSFET及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，该MOSFET在SOI晶片中形成，所述MOSFET包括：浅沟槽隔离区，在所述半导体层中限定有源区；栅叠层，位于所述半导体层上；源区和漏区，位于所述半导体层中且位于所述栅叠层两侧；沟道区，位于所述半导体层中且夹在所述源区和漏区之间；背栅，位于所述半导体衬底中；第一假栅叠层，与所述半导体层和所述浅沟槽隔离区之间的边界重叠；以及第二假栅叠层，位于所述浅沟槽隔离区上，其中，所述MOSFET还包括位于栅叠层和第一假栅叠层之间并且分别与源区和漏区电连接的导电通道、以及位于第一假栅叠层和第二假栅叠层之间并且与背栅电连接的导电通道。该MOSFET可以利用假栅叠层防止背栅和源/漏区之间短路的发生。