专利详情

专利名称	一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201210590800.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103050553A	公开（授权）日	2013.04.17
申请（专利权）人	中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司	发明（设计）人	赵科新;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;张妍;王学敏;李松;屈秋霞;张缔;朱龙来;徐浩宇;闫用用
主分类号	H01L31/0352(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I
专利有效期	一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法至一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于晶体硅太阳能电池的技术领域，具体地说是一种双面钝化晶硅太阳能电池及其制备方法。所述结构包括基区、PN结、发射区、第一介质层、第二介质层、第三介质层、铝薄层、第一本征氢化非晶硅层、第二本征氢化非晶硅层、正面电极及背面电极，其中PN结位于基区和发射区之间，第一介质层作为正面减反射层和钝化层，第二介质层作为背面钝化层，所述第三介质层作为背面介质层的盖层，第一本征氢化非晶硅层位于第一介质层和发射区之间，第二本征氢化非晶硅层位于基区和第二介质层之间，铝薄层位于第三介质层的外侧，正面电极和背面电极分别置于晶硅太阳能电池正面和背面。本发明利用微波PECVD方法实现高质量的背表面钝化，可以提高转化效率1％。