专利详情

专利名称	制备铜铟镓硒光吸收层的装置和方法
申请号	CN201210535592.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103022249A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院;香港中文大学	发明（设计）人	陈旺寿;肖旭东;张撷秋;刘壮;顾光一;杨春雷;宋秋明
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I
专利有效期	制备铜铟镓硒光吸收层的装置和方法至制备铜铟镓硒光吸收层的装置和方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制备铜铟镓硒光吸收层的装置，包括真空系统和衬底传动系统，由真空系统维持真空的进样室、镀膜室及出样室；衬底传动系统包括衬底传动装置和衬底装载装置；镀膜室包括第一镀膜室，用于在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在350~400℃；第二镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上沉积铜，并维持衬底温度在550~650℃；第三镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上继续沉积铜，并维持衬底温度在550~650℃；蒸发监控装置，蒸发监控装置用于监测衬底表面温度、衬底在监测读数快速上升的时候离开第三镀膜室；第四镀膜室，用于在硒蒸汽的气氛下在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在550~650℃。本发明还提供一种制备铜铟镓硒光吸收层的方法。