双掺杂In4Se3基热电材料及其制备和用途
- 申请号：CN201210539358.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号：CN103022336A
- 公开(公开)日：2013.04.03
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 双掺杂In4Se3基热电材料及其制备和用途 | ||
| 申请号 | CN201210539358.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103022336A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 吴立明;林志盛;陈玲 |
| 主分类号 | H01L35/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/18(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
| 专利有效期 | 双掺杂In4Se3基热电材料及其制备和用途 至双掺杂In4Se3基热电材料及其制备和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及双掺杂In4Se3基热电材料In4-xPb0.01SnxSe3?(x?=?0.02-0.05)、其制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb、?Sn双掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb、?Sn双掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最高达到1.4，比目前商业化热电材料体系的热电性能提高40%，因此可用于高效热-电转换器件制作。 | ||
交易流程
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