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一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法

  • 申请号:CN201210546598.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN103022135A
  • 公开(公开)日:2013.04.03
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法
申请号 CN201210546598.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103022135A 公开(授权)日 2013.04.03
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 刘洪刚;常虎东;王虹;薛百清
主分类号 H01L29/78(2006.01)I IPC主分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I
专利有效期 一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法 至一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种III-V族半导体纳米线晶体管器件,包括:单晶衬底层;在该单晶衬底层上形成的III-V族半导体缓冲层;在该III-V族半导体缓冲层上形成的底部欧姆接触层;在该底部欧姆接触层上形成的III-V族半导体复合沟道层;在该III-V族半导体复合沟道层上形成的顶部欧姆接触层和纳米线结构;在该纳米线结构上形成的环形高K栅介质层和功函数金属层;在该高K介质层和功函数金属层上形成的栅金属电极;以及在该顶部欧姆接触层上形成的源漏电极。本发明还公开了一种制作该纳米线场效应晶体管器件的方法。利用本发明,实现了低的源漏寄生电阻,提高了III-V族半导体MOS器件的电流驱动能力和更强的栅控功能,满足了高性能III-V?CMOS技术在数字电路上的应用需求。

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