专利详情

专利名称	一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法
申请号	CN201210546598.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103022135A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘洪刚;常虎东;王虹;薛百清
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I
专利有效期	一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法至一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种III-V族半导体纳米线晶体管器件，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V族半导体缓冲层；在该III-V族半导体缓冲层上形成的底部欧姆接触层；在该底部欧姆接触层上形成的III-V族半导体复合沟道层；在该III-V族半导体复合沟道层上形成的顶部欧姆接触层和纳米线结构；在该纳米线结构上形成的环形高K栅介质层和功函数金属层；在该高K介质层和功函数金属层上形成的栅金属电极；以及在该顶部欧姆接触层上形成的源漏电极。本发明还公开了一种制作该纳米线场效应晶体管器件的方法。利用本发明，实现了低的源漏寄生电阻，提高了III-V族半导体MOS器件的电流驱动能力和更强的栅控功能，满足了高性能III-V?CMOS技术在数字电路上的应用需求。