
一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法
- 申请号:CN201210546598.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN103022135A
- 公开(公开)日:2013.04.03
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法 | ||
申请号 | CN201210546598.5 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103022135A | 公开(授权)日 | 2013.04.03 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 刘洪刚;常虎东;王虹;薛百清 |
主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I |
专利有效期 | 一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法 至一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种III-V族半导体纳米线晶体管器件,包括:单晶衬底层;在该单晶衬底层上形成的III-V族半导体缓冲层;在该III-V族半导体缓冲层上形成的底部欧姆接触层;在该底部欧姆接触层上形成的III-V族半导体复合沟道层;在该III-V族半导体复合沟道层上形成的顶部欧姆接触层和纳米线结构;在该纳米线结构上形成的环形高K栅介质层和功函数金属层;在该高K介质层和功函数金属层上形成的栅金属电极;以及在该顶部欧姆接触层上形成的源漏电极。本发明还公开了一种制作该纳米线场效应晶体管器件的方法。利用本发明,实现了低的源漏寄生电阻,提高了III-V族半导体MOS器件的电流驱动能力和更强的栅控功能,满足了高性能III-V?CMOS技术在数字电路上的应用需求。 |
交易流程
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