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SRAM单元及其制作方法

  • 申请号:CN201110282569.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN103022039A
  • 公开(公开)日:2013.04.03
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 SRAM单元及其制作方法
申请号 CN201110282569.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103022039A 公开(授权)日 2013.04.03
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 朱慧珑;梁擎擎
主分类号 H01L27/11(2006.01)I IPC主分类号 H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I
专利有效期 SRAM单元及其制作方法 至SRAM单元及其制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本申请公开了一种SRAM单元及其制作方法。该SRAM单元包括:半导体层;以及在半导体层上形成的第一鳍式场效应晶体管(FinFET)和第二FinFET,其中所述第一FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第一鳍片,所述第一鳍片具有第一顶面和第一底面,所述第二FinFET包括对所述半导体层构图而形成的第二鳍片,所述第二鳍片具有第二顶面和第二底面,其中,所述第一顶面与所述第二顶面持平,所述第一底面和第二底面接于所述半导体层,且所述第二鳍片的高度高于所述第一鳍片的高度。

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