
混合共平面SOI衬底结构及其制备方法
- 申请号:CN201210575312.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN103021927A
- 公开(公开)日:2013.04.03
- 法律状态:实质审查的生效
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
专利名称 | 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法 | ||
申请号 | CN201210575312.6 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103021927A | 公开(授权)日 | 2013.04.03 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 狄增峰;母志强;薛忠营;陈达;张苗;王曦 |
主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
专利有效期 | 混合共平面SOI衬底结构及其制备方法 至混合共平面SOI衬底结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供一种混合共平面SOI衬底结构及其制备方法,所述混合共平面SOI衬底结构包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及位于埋氧化层上的顶层硅膜;所述顶层硅膜上形成有若干第一区域和若干第二区域,所述第一区域与第二区域间隔排列,并通过隔离墙隔离,所述隔离墙底部到达所述顶层硅膜表面或所述顶层硅膜内;所述第一区域包括锗硅缓冲层及位于其上的应变硅层或弛豫的锗层;所述第二区域的材料为锗或III-V族化合物。本发明利用SiGe缓冲层技术、刻蚀工艺以及图形衬底外延等技术制备低缺陷密度、高晶体质量的锗,III-V族材料或者应变硅混合共平面的SOI衬底结构,能同时提升不同类型MOS(PMOS或NMOS)器件的性能,在光电集成领域也有广泛的应用前景。 |
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接,价格透明
2、平台验证,实名审核
3、合同监控,代办手续
4、专员跟进,交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言