专利详情

专利名称	混合共平面SOI衬底结构及其制备方法
申请号	CN201210575312.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103021927A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	狄增峰;母志强;薛忠营;陈达;张苗;王曦
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I
专利有效期	混合共平面SOI衬底结构及其制备方法至混合共平面SOI衬底结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种混合共平面SOI衬底结构及其制备方法，所述混合共平面SOI衬底结构包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及位于埋氧化层上的顶层硅膜；所述顶层硅膜上形成有若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排列，并通过隔离墙隔离，所述隔离墙底部到达所述顶层硅膜表面或所述顶层硅膜内；所述第一区域包括锗硅缓冲层及位于其上的应变硅层或弛豫的锗层；所述第二区域的材料为锗或III-V族化合物。本发明利用SiGe缓冲层技术、刻蚀工艺以及图形衬底外延等技术制备低缺陷密度、高晶体质量的锗，III-V族材料或者应变硅混合共平面的SOI衬底结构，能同时提升不同类型MOS（PMOS或NMOS）器件的性能，在光电集成领域也有广泛的应用前景。