专利详情

专利名称	混合共平面衬底结构及其制备方法
申请号	CN201210575658.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103021815A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	狄增峰;母志强;薛忠营;陈达;张苗;王曦
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	混合共平面衬底结构及其制备方法至混合共平面衬底结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种混合共平面衬底结构及其制备方法，所述混合共平面衬底结构包括硅衬底及形成与所述硅衬底上的若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排列，并通过隔离墙隔离，所述隔离墙底部到达所述硅衬底表面或所述硅衬底内；所述第一区域包括锗硅缓冲层及位于其上的应变硅层或弛豫的锗层；所述第二区域的材料为锗或III-V族化合物。本发明利用SiGe缓冲层技术、刻蚀工艺以及图形衬底外延等技术制备低缺陷密度、高晶体质量的锗、III-V族材料或者应变硅混合共平面的衬底结构，能同时提升不同类型MOS（PMOS或NMOS）器件的性能，在光电集成领域也有广泛的应用前景。