专利详情

专利名称	制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构
申请号	CN201110295189.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103021854A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;骆志炯;尹海洲
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构至制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构。提供一种制作FinFET的方法，包括：提供Si半导体衬底，在所述Si半导体衬底上的SiGe层以及在所述SiGe层上的Si层，其中所述SiGe层与所述衬底晶格匹配；图案化所述Si层和SiGe层，以形成Fin结构；在所述Fin结构的顶部和两侧形成栅堆叠以及围绕栅堆叠的间隔侧墙；以间隔侧墙为掩膜，去除Si层的、在所述间隔侧墙外侧的部分，从而留下Si层的、在所述间隔侧墙内侧的部分；去除SiGe层的、图案化后剩余的部分，以形成空隙；在所述空隙中形成绝缘基体；以及外延应力源漏区，其位于Fin结构和绝缘基体的两侧。本发明的FinFET具有与使用SOI制作的FinFET一样良好的对器件宽度和阈值以下泄漏的控制的性能。