拓扑绝缘体结构
- 申请号：CN201210559554.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：清华大学;中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN103022344A
- 公开(公开)日：2013.04.03
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 拓扑绝缘体结构 | ||
| 申请号 | CN201210559554.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103022344A | 公开（授权）日 | 2013.04.03 |
| 申请（专利权）人 | 清华大学;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 薛其坤;何珂;马旭村;陈曦;王立莉;常翠祖;冯硝;李耀义;贾金锋 |
| 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 拓扑绝缘体结构 至拓扑绝缘体结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 |
本发明涉及一种拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底及设置在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜；该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0.05 | ||
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