专利详情

专利名称	一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法
申请号	CN201110279269.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103018806A	公开（授权）日	2013.04.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;史丽娜;朱效立
主分类号	G02B5/18(2006.01)I	IPC主分类号	G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法至一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法。该方法包括：在双面抛光的硅基衬底的背面制备氮化硅自支撑薄膜窗口；在硅基衬底正面的氮化硅薄膜上旋涂电子束抗蚀剂HSQ；对该HSQ进行电子束直写曝光，形成光栅线条和包围该光栅线条的圆环，并显影后定影得到光栅线条图形和圆环图形；在该硅基衬底的正面磁控溅射沉积铬材料，作为光栅线条图形和圆环图形周边的挡光层；去除圆环图形内的铬材料，仅保留圆环图形外的材料铬，作为吸收杂散光的吸收体；在硅基衬底的正面采用原子层沉积技术生长金材料；以及去除该圆环图形外的铬材料之上、光栅线条图形之间以及光栅线条图形之上沉积的金材料，仅保留光栅线条图形侧墙的金材料。