专利详情

专利名称	GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路
申请号	CN200910090348.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101989837A	公开（授权）日	2011.03.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陈高鹏;吴旦昱;金智;武锦;刘新宇
主分类号	H03F1/32(2006.01)I	IPC主分类号	H03F1/32(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I;H03K19/018(2006.01)I
专利有效期	GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路至GaAs HBT高增益宽带线性跨导单元电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种GaAs?HBT高增益宽带线性跨导单元电路，包括：输入级子电路、基本跨导子电路、线性化子电路、负阻子电路和镜像电流源子电路，其中：输入级子电路用于对输入的差分电压IN_P和IN_N进行电平移位，并将移位之后的信号导入到基本跨导子电路；基本跨导子电路用于将输入的差分电压信号转换为差分电流信号；线性化子电路用于提高基本跨导电路的线性度；负阻子电路用于提高跨导电路的增益；镜像电流源子电路用于为其余所有电路提供偏置电流。本发明采用GaAs?HBT工艺设计制造，具有很宽的工作带宽；采用的线性化子电路可以有效地补偿电路非线性，提供优良的线性度；采用的负阻子电路，有效解决了电路高增益要求与晶体管饱和的矛盾，提供高增益性能。