专利详情

专利名称	金刚石（111）面上的石墨烯制备方法
申请号	CN200910242957.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102102220A	公开（授权）日	2011.06.22
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	顾长志;路超;李俊杰
主分类号	C30B25/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/02(2006.01)I;C30B25/08(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I
专利有效期	金刚石（111）面上的石墨烯制备方法至金刚石（111）面上的石墨烯制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种金刚石(111)面上的石墨烯制备方法，其主要步骤为：1)在衬底上生长非掺杂的金刚石过渡层：把衬底放在热灯丝化学气相沉积系统的腔体中衬底托上，生长金刚石过渡层；2)在金刚石过渡层上生长B掺杂的金刚石膜；3)退火自组织形成石墨烯。本发明可以制备出的样品尺寸比较大，从纳米尺度到微米甚至毫米尺度。本发明的自组装生长石墨烯的方法简便，比较容易实现，且发明中所生长的石墨烯面积可控性较高，可以达到目前多数方法所不能实现的微米尺寸以上。此外，由于金刚石的很多优异特性，以及掺硼金刚石衬底的不对称性，使得在硼掺杂金刚石衬底上形成的石墨烯更容易产生能隙，从而更有利于石墨烯在器件中的应用。