籽晶层辅助的高性能TiO2基透明导电薄膜及制备方法
- 申请号：CN201110058098.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN102181825A
- 公开(公开)日：2011.09.14
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 籽晶层辅助的高性能TiO2基透明导电薄膜及制备方法 | ||
| 申请号 | CN201110058098.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102181825A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;万冬云 |
| 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C20/08(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 籽晶层辅助的高性能TiO2基透明导电薄膜及制备方法 至籽晶层辅助的高性能TiO2基透明导电薄膜及制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种TiO2基透明导电膜，所述导电膜包括：衬底层，所述衬底为普通玻璃、石英玻璃、陶瓷基板、SrTiO3(STO)或LaAlO3(LAO)衬底；籽晶层，所述籽晶层为具有锐钛矿结构的TiO2籽晶层或具有锐钛矿结构的掺杂TiO2籽晶层；所述籽晶层的厚度为20nm～250nm；在所述籽晶层上利用该籽晶层诱导生长的掺杂TiO2覆盖层；所述覆盖层中掺杂元素总量为Ti元素的0.25mol％～20mol％，所述掺杂TiO2的掺杂元素包括Nb、Ta、V、Sc、Zr、Hf、Cr、Mo和W中的一种或几种；其中，所述籽晶层和所述覆盖层的总厚度为600nm～3.0μm。本发明还提供所述TiO2基透明导电膜的制备方法以及含有所述所述TiO2基透明导电膜的器件。 | ||
交易流程
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