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MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法

  • 申请号:CN201110129333.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN102241388A
  • 公开(公开)日:2011.11.16
  • 法律状态:实质审查的生效
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专利详情

专利名称 MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法
申请号 CN201110129333.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102241388A 公开(授权)日 2011.11.16
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 徐高卫;罗乐;陈骁;焦继伟;宓斌玮
主分类号 B81B7/00(2006.01)I IPC主分类号 B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期 MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法 至MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提出了一种基于Chip?to?Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法,其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合,实现圆片级气密/真空封装,完成MEMS器件可动部件的保护;采用Chip?to?Wafer叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC等CMOS芯片,实现ASIC等CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成;将分立的集成微系统贴装在低成本的有机基板上,采用引线键合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多层互连,并采用围坝(Dam)方式灌注(Fill)低应力塑封料以保护集成微系统,提高环境可靠性。从而形成高密度、易加工、低成本、低应力和高可靠性的MEMS圆片级三维混合集成封装结构。

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