一种碳糊电极及其制备方法
- 申请号：CN201110185518.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院长春应用化学研究所
- 公开(公开)号：CN102269730A
- 公开(公开)日：2011.12.07
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种碳糊电极及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201110185518.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102269730A | 公开（授权）日 | 2011.12.07 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 徐国宝;田野;王建国 |
| 主分类号 | G01N27/30(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种碳糊电极及其制备方法 至一种碳糊电极及其制备方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种碳糊电极，包括：电极管壳、填充于所述电极管壳中的碳糊，以及与所述碳糊接触并由所述电极管壳内引出的电极引线；其中，所述碳糊包括石墨和邻苯二甲酸二正辛酯。本发明提供的碳糊电极残余电流低、制备方法简单、无毒、表面易于更新、价格便宜而且电位使用范围宽，比用硅油和石墨粉混合的碳糊电极的析氢过电位高200mV，重现性好。本发明还提供了一种碳糊电极的制备方法。 | ||
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