温度感知射频标签及利用其来感知温度变化的电路和方法
- 申请号:CN201010241992.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN102346865A
- 公开(公开)日:2012.02.08
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 温度感知射频标签及利用其来感知温度变化的电路和方法 | ||
申请号 | CN201010241992.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102346865A | 公开(授权)日 | 2012.02.08 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 卢小冬;张海英 |
主分类号 | G06K19/077(2006.01)I | IPC主分类号 | G06K19/077(2006.01)I;G01K5/62(2006.01)I |
专利有效期 | 温度感知射频标签及利用其来感知温度变化的电路和方法 至温度感知射频标签及利用其来感知温度变化的电路和方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种温度感知射频标签以及该温度感知射频标签感知温度的电路和方法,该射频标签包括:射频标签的集成电路,以及至少一个温度传感器,该温度传感器包括:带有浮栅的MOS晶体管,该晶体管的浮栅和焊接点金属面相连;被密封在一个空腔中的双金属温度敏感片,该双金属温度敏感片一端为固定端,与该射频标签的集成电路的“地”信号相连的,双金属温度敏感片的另一端为自由端,在空腔中可以自由随温度变化弯曲;并且在特定的温度下,该自由端可以接触到与浮栅相连的焊接点金属面;其中,射频标签的集成电路可检测温度传感器的MOS晶体管的浮栅上是否被注入自由电荷。 |
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