专利详情

专利名称	半导体结构及其制造方法
申请号	CN201010269260.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102386226A	公开（授权）日	2012.03.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯;钟汇才
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	半导体结构及其制造方法至半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明能够增强沟道区应力，从而提高载流子迁移率，改善器件性能，同时能够减少器件所用面积，进而降低制造成本。本发明的半导体结构包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底中；栅极，包括介质层和导电层，形成于沟道区上方；源漏区，位于所述栅极的两侧；第一浅沟槽隔离，嵌于所述半导体衬底中，且长度方向与所述栅极长度方向平行；第二浅沟槽隔离，位于所述源漏区两侧，与所述第一浅沟槽隔离相接；其中，所述源漏区包括相对分布于所述栅极的两侧、且与所述第二浅沟槽隔离邻接的第一种晶层；所述第二浅沟槽隔离的上表面高于或持平于所述源漏区的上表面。