专利详情

专利名称	MOSFET及其制造方法
申请号	CN201010573204.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102487083A	公开（授权）日	2012.06.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;许淼;梁擎擎
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	MOSFET及其制造方法至MOSFET及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括SOI晶片，所述SOI晶片包括底部半导体衬底、第一氧化物埋层和第一半导体层；源区和漏区，形成在SOI晶片上方的第二半导体层中，第二半导体层与SOI晶片之间由第二氧化物埋层隔开；沟道区，形成在第二半导体层中，沟道区夹在源区和漏区之间；栅叠层，包括位于第二半导体层上的栅介质层以及栅极导体；其中，所述MOSFET还包括在第一半导体层中形成的位于沟道下方的背栅，背栅具有不均匀掺杂分布，以及第二氧化物埋层作为背栅的栅介质层。该MOSFET可以通过改变背栅中的掺杂类型和/或掺杂分布而实现对阈值电压的调节，并且减小了源区和漏区之间的漏电流。