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一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构

  • 申请号:CN201120310428.8
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所
  • 公开(公开)号:CN202259408U
  • 公开(公开)日:2012.05.30
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构
申请号 CN201120310428.8 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN202259408U 公开(授权)日 2012.05.30
申请(专利权)人 中国科学院福建物质结构研究所 发明(设计)人 曹永革;刘著光;邓种华
主分类号 H01L33/48(2010.01)I IPC主分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I
专利有效期 一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构 至一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构 法律状态 授权
说明书摘要 本技术涉及一种利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体提高LED芯片光效的封装结构。所述封装结构包括:一高反射率凹面镜型封装基座以及安装其内的上表面水平下表面凹面镜型的YAG透明陶瓷或晶体,所述YAG透明陶瓷或晶体的上表面位于凹面镜的焦平面上;两个引线框;普通LED芯片,芯片安装于YAG陶瓷或晶体的上表面并位于所述凹面镜的焦点上;以及密封物,密封物为透明树脂或混合透明树脂和荧光剂形成,将LED芯片封于其内,以完成LED封装结构。本技术方案通过利用凹面镜形透明YAG陶瓷或晶体的基座将LED芯片背面发出的光通过凹面镜的反射平行取出,从而提高了LED的光效并同时减少了热量在LED芯片背面的聚集。

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