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一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的方法

  • 申请号:CN201210000913.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
  • 公开(公开)号:CN102569514A
  • 公开(公开)日:2012.07.11
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的方法
申请号 CN201210000913.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102569514A 公开(授权)日 2012.07.11
申请(专利权)人 中国科学院合肥物质科学研究院 发明(设计)人 刘英;孔德义;尤晖;赵聪;陈池来;林新华;高理升;王焕钦;李加伟
主分类号 H01L31/18(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/18(2006.01)I
专利有效期 一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的方法 至一种制备铜铟镓硒太阳能电池光吸收层的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及薄膜太阳能电池制备技术,特别涉及铜铟镓硒光吸收层的制备方法。其制备过程是(1)将金属铜、铟、镓的硒化物或金属铜、铟、镓和硒单质按照化学计量比混合搅拌均匀后球磨,得到粒径为10-10000nm的铜铟镓硒纳米粒子;其中Cu:In:Ga:Se原子摩尔比为0.9-1:0-1:0-1:2;(2)将铜铟镓硒纳米粒子分散于由分散剂与成膜剂组成的混合溶液中,搅拌或研磨或超声或磁力搅拌分散,得到CIGS前驱体浆料;(3)将前驱体浆料涂敷于衬底上,在空气气氛中烘干除去分散剂和成膜剂,得到前驱体薄膜;(4)将前驱体薄膜在惰性气氛下快速升温热处理,得到铜铟镓硒太阳能电池光吸收层薄膜成品。本方法简化了工艺流程,生产效率高,有利于环保,为CIGS基薄膜太阳能电池的大规模产业化拓宽了思路。

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