专利详情

专利名称	基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法
申请号	CN201210057292.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102570305A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周旭亮;于红艳;潘教青;赵玲娟;王圩
主分类号	H01S5/323(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/323(2006.01)I
专利有效期	基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法至基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层；将生长有第一缓冲层的衬底，放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理；在第一缓冲层上外延第二缓冲层；在第二缓冲层上生长赝GaAs层；在赝GaAs层上生长850nm激光器结构，该850nm激光器结构包括依次生长的Al0.5Ga0.5As下包层、Al0.3Ga0.7As下波导、InGaAs有源区、Al0.3Ga0.7As上波导层、Al0.5Ga0.5As上包层和赝GaAs接触层；在850nm激光器结构上面的赝GaAs接触层上刻蚀，形成脊条；在外延片的上表面及脊条的侧面生成二氧化硅绝缘层；在脊条的上面制作电极窗口；在二氧化硅绝缘层及电极窗口上制作钛铂金电极，减薄后，在衬底的背面制作金锗镍电极，完成激光器的制备。