专利详情

专利名称	硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法
申请号	CN201110296695.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102503434A	公开（授权）日	2012.06.20
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	李江涛;杨建辉;杨增朝;韩林森;王福;陈义祥
主分类号	C04B35/584(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/584(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I
专利有效期	硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法至硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备，涉及在中温微正压条件下，以温度场诱发硅粉燃烧方式合成氮化硅粉体的方法。本发明是以硅粉和含氮化合物为原料，按不同的组分配比配制成反应混合料，经短时间研磨混合后，将混合料装于料舟内，并放入密闭的可加热耐压的反应炉中，经抽真空后充入一定压力的含氮非氧化性气体。通电预热混合料，温度升至500～900℃，通过局部加热或预埋点火块自燃方式，引发燃烧合成反应，合成后的氮化硅产物随炉冷却，经初碎后得到所述的氮化硅粉体。本发明结合了硅粉高温氮化工艺和硅粉燃烧合成氮化硅工艺的优点，降低了氮化反应温度和合成所需的压力，缩短了生产周期，大幅度降低了氮化硅粉体的生产成本。