专利详情

专利名称	一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法
申请号	CN201210059601.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102621199A	公开（授权）日	2012.08.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	金庆辉;唐逢杰;丁古巧;张洹千;张凤;谢晓明;赵建龙
主分类号	G01N27/30(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/30(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I
专利有效期	一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法至一种石墨烯修饰的Pt电极及检测痕量重金属的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种石墨烯修饰的铂电极，所述的铂电极是以在硅片上氧化生成二氧化硅层为基体，然后在二氧化硅基体上蒸镀金属铂电极，最后在铂电极上生长石墨烯，构成石墨烯修饰铂电极。采用溶出伏安法，利用MEMS工艺制作的石墨烯修饰的铂电极为工作电极，以Ag/AgCl电极作参考比电极，铂丝电极作为对电极，包括前处理、富集时间和电位设置及溶出伏安法的参数选择，检测出重金属极限值0.05mg/L，且提供的G/Pt电极比裸Pt电极具有明显的高的检测灵敏度。