专利详情

专利名称	双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法
申请号	CN201210213957.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102723405A	公开（授权）日	2012.10.10
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	张瑞英;董建荣;杨辉
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法至双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种双面生长高效宽谱吸收多结太阳电池的制备方法，其利用高深宽比位错捕获技术实现GaAs材料上InP外延以及GaAs系和InP系电池的单片集成，具体包括如下步骤：（1）在双面抛光的GaAs衬底的第一面上形成介质膜，并在其第二面上生长形成晶格匹配的GaAs/GaInP太阳能电池结构；（2）对衬底第二面进行保护，再在衬底第一面上加工形成纳米级介质掩膜图案；（3）在衬底第一面上生长形成InP薄膜，并将InP薄膜抛光至平整度达到外延级；（4）在衬底第一面上依次生长形成InGaAsP或InGaAsP/InGaAs太阳能电池结构以及电极接触层；（5）解除对衬底第二面的保护，获得目标产物。本发明工艺简洁，易于操作，且良品率高，有效解决了异质多结太阳电池中晶格失配和热失配对电池材料质量和性能的影响。?