专利详情

专利名称	多波长发光二极管及其制备方法
申请号	CN201210326905.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856452A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	金朝;范亚明;朱建军;边历峰
主分类号	H01L33/04(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/04(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	多波长发光二极管及其制备方法至多波长发光二极管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，涉及半导体材料与器件技术领域。本发明提供的多波长发光二极管包括一衬底、一缓冲层、一第一氮化镓层、一第二氮化镓层、一具有台阶化量子阱柱状结构的有源区、一电子阻挡层、一第三氮化镓层；本发明还提供所述多波长发光二极管的制备方法，包括：生长形成一具有多层结构的半导体结构；形成具有台阶化量子阱柱状结构的有源区；生长第三氮化镓层；沉积N型电极和P型电极。本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，优点在于拓展发光二极管发光谱线范围，简化驱动电路的复杂性，提高电子或空穴的注入效率，降低接触电阻，提高了色度的调节和显色性指数。