多晶硅假栅移除后的监控方法
- 申请号：CN201110165279.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102842518A
- 公开(公开)日：2012.12.26
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 多晶硅假栅移除后的监控方法 | ||
| 申请号 | CN201110165279.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102842518A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨涛;赵超;李俊峰;闫江;陈大鹏 |
| 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 专利有效期 | 多晶硅假栅移除后的监控方法 至多晶硅假栅移除后的监控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种多晶硅假栅移除后的监控方法，包括以下步骤：在晶圆表面形成多晶硅假栅结构；确定晶圆质量的量测目标及误差范围；去除多晶硅假栅之后，使用质量量测设备测量晶圆的质量，判断多晶硅假栅是否完全移除。依照本发明的量测方法，可以不需要特定测试结构而快速准确对晶圆整片测量，从而有效监控判断多晶硅假栅是否彻底移除，同时该量测方法反馈结果直观、快速、准确，对晶圆不会带来损伤。 | ||
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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过户资料
平台保障
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