专利详情

专利名称	一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备
申请号	CN201110300066.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103031545A	公开（授权）日	2013.04.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王燕;李勇滔;夏洋;赵章琰;石莎莉
主分类号	C23C16/52(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备至一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种半导体工艺设备，尤其是涉及一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室；控制部件分别与真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件相连接，真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件分别与容积可调节的沉积室相连接。本发明可提供不同容积的沉积室，能够较好的适应不同体积的待加工器件，沉积室和待加工器件合理的体积比，可以有效的降低沉积反应周期时间，减少劣质膜的生长，降低膜层的颗粒度，提供沉积质量，满足半导体器件到膜层精度的要求。