专利详情

专利名称	一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法
申请号	CN201310024040.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103060905A	公开（授权）日	2013.04.24
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	赵建华;潘东
主分类号	C30B25/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/02(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法至一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明公开了一种高晶体质量超细砷化铟纳米线的生长方法，其包括以下步骤：步骤1：将去除表面氧化层的衬底放在分子束外延设备样品架上，所述分子束外延设备装有铟、砷和银源；步骤2：设定衬底温度为第一设定温度，待温度稳定后，打开银源挡板，以使得在衬底上沉积一定厚度的银薄膜；步骤3：关闭银源挡板，将衬底升温至第二设定温度，待温度稳定后保持第一预定时间，以提高银薄膜的晶体质量；步骤4：然后再将衬底升温至第三设定温度，待温度稳定后保持第二预定时间，使得所述银薄膜分散成银纳米颗粒；步骤5：将铟源及砷源升至一定温度，以通过砷源和铟源的所述温度调节二者的束流比在预定范围内；步骤6：将衬底温度降至砷化铟纳米线的生长温度；步骤7：待温度稳定后，同时打开铟源和砷源挡板，在沉积的银纳米颗粒上生长超细砷化铟纳米线。本发明采用银做催化剂可以降低砷化铟纳米线的生长成本。