专利详情

专利名称	绝缘栅双极晶体管及其制作方法
申请号	CN201110201384.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102891082A	公开（授权）日	2013.01.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孙宝刚;左小珍;朱阳军;卢烁今;吴振兴;赵佳
主分类号	H01L21/331(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	绝缘栅双极晶体管及其制作方法至绝缘栅双极晶体管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度；在所述基区内形成发射极区。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管制作方法，通过在漂移区内形成沟槽栅区，从而使得导电沟道垂直化，且由于沟槽栅区的深度大于所述基区的深度，因此不存在JFET区，使得电流更加均匀。这种具有沟槽栅区结构的绝缘栅双极晶体管不仅可减小芯片的面积，而且可减小产生闩锁效应发生的几率。