绝缘栅双极晶体管及其制作方法
- 申请号:CN201110201384.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN102891082A
- 公开(公开)日:2013.01.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | ||
申请号 | CN201110201384.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102891082A | 公开(授权)日 | 2013.01.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 孙宝刚;左小珍;朱阳军;卢烁今;吴振兴;赵佳 |
主分类号 | H01L21/331(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
专利有效期 | 绝缘栅双极晶体管及其制作方法 至绝缘栅双极晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括:采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区;在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区,所述基区位于所述沟槽栅区的两侧,且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度;在所述基区内形成发射极区。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管制作方法,通过在漂移区内形成沟槽栅区,从而使得导电沟道垂直化,且由于沟槽栅区的深度大于所述基区的深度,因此不存在JFET区,使得电流更加均匀。这种具有沟槽栅区结构的绝缘栅双极晶体管不仅可减小芯片的面积,而且可减小产生闩锁效应发生的几率。 |
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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过户资料
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