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绝缘栅双极晶体管及其制作方法

  • 申请号:CN201110201384.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN102891082A
  • 公开(公开)日:2013.01.23
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 绝缘栅双极晶体管及其制作方法
申请号 CN201110201384.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102891082A 公开(授权)日 2013.01.23
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 孙宝刚;左小珍;朱阳军;卢烁今;吴振兴;赵佳
主分类号 H01L21/331(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/331(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期 绝缘栅双极晶体管及其制作方法 至绝缘栅双极晶体管及其制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括:采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区;在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区,所述基区位于所述沟槽栅区的两侧,且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度;在所述基区内形成发射极区。本发明所提供的绝缘栅双极晶体管制作方法,通过在漂移区内形成沟槽栅区,从而使得导电沟道垂直化,且由于沟槽栅区的深度大于所述基区的深度,因此不存在JFET区,使得电流更加均匀。这种具有沟槽栅区结构的绝缘栅双极晶体管不仅可减小芯片的面积,而且可减小产生闩锁效应发生的几率。

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