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一种辐射效应测试方法、装置及系统

  • 申请号:CN201210593075.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN103076524A
  • 公开(公开)日:2013.05.01
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种辐射效应测试方法、装置及系统
申请号 CN201210593075.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103076524A 公开(授权)日 2013.05.01
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 谢朝辉;刘海南;周玉梅;黑勇;王德坤;赵明琦
主分类号 G01R31/00(2006.01)I IPC主分类号 G01R31/00(2006.01)I
专利有效期 一种辐射效应测试方法、装置及系统 至一种辐射效应测试方法、装置及系统 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种辐射效应测试方法、装置及系统,所述方法应用于辐射效应测试系统,所述系统包括封装在同一管芯的同一平面,且相互独立的多个被测芯片。所述方法包括:分别向处于辐射环境中的所述多个被测芯片中对应的被测芯片同时发送测试激励;分别同时获取所述多个被测芯片依据接收的对应所述测试激励所产生的激励响应数据;依据所述激励响应数据,确定对应的所述多个被测芯片出现的辐射效应。本发明通过所述装置分别同时完成对所述多个被测芯片的辐射效应测试,且对每一所述被测芯片的辐射效应测试是相互独立的,大大提高了测试效率和通用性,节约了测试成本。

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