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  • 待解决

    日用青瓷产品研发

    1、釉面维氏显微硬度不低于6.0Gp;
    2、中心抗冲击强度不低于1.5J/cm2;
    3、微波炉适应性:按GB/T3532-2009中6.6规定的试验方法,一次循环不裂和无电弧产生;
    4、冰箱到微波炉适应性:按GB/T3532-2009中6.7规定的试验方法,一次循环不裂和无电弧产生;
    5、冰箱到烤箱适应性:按GB/T3532-2009中6.8规定的试验方法,一次循环不裂;
    6、吸水率不大于0.5%;
    7、抗热震性:180℃投入20℃水中热交换一次不裂;
    8、铅镉溶出量允许极限应符合GB4806.4食品安全国家标准陶瓷制品的规定;
    9、口径误差应符合GB/T3532-2009的规定;高度误差应符合GB/T3532-2009的规定。

    需求类型:技术难题

    学科领域:先进制造技术

    投入预算: 面议

  • 待解决

    工业青瓷产品研发

    1.由于该公司生产的陶瓷手模在交付时,客户对手模的耐酸耐碱性能要求比较高,因此需要对陶瓷手模表面喷涂材料的相关工艺配方进行提升。
    2.同时该公司需要对产品的多元化进行技术储备。如:适合高温烧制和注浆成型的陶瓷产品(陶瓷刹车片,隔热片等)。

    需求类型:技术难题

    学科领域:先进制造技术

    投入预算: 面议

  • 待解决

    分散式污水处理设备

    新型高效污水处理技术,

    需求类型:技术难题

    学科领域:环境保护与资源综合利用

    投入预算: 1000

  • 待解决

    红外阵列测温

    属于低像素大角度热成像,不用精确测温,只是用来50-100米内找一堆大火,要求数字化输出

    需求类型:技术难题

    学科领域:电子信息技术

    投入预算: 100

  • 待解决

    光学设计、微纳精密加工

    光学镀膜:光学镀膜工艺,膜系设计优化与颜色实现,真空镀膜(磁控溅射,电子束)中的相关工艺问题。 数字全息微纳结构设计:可将光和红外波段衍射光学元件设计,及相应器件的加工工艺。 菲涅尔透镜设计和加工:金刚石加工菲涅尔透镜工艺和误差分析;刀具设计和相关工艺问题。 (来源:中科院苏州育成中心、苏州市生产力促进中心)

    需求类型:技术难题

    学科领域:新材料及其应用

    投入预算: 500

  • 待解决

    热转印膜上的抗菌涂层

    书写笔都要使用,传统热转印膜功能性单一,随着书写笔的功能性延伸,需要实现书写功能的同时,笔还需要具有一定的抗菌功能。热转印膜是手直接接触的地方,因此需要实现热转印膜的抗菌功能。 抗菌剂添加量在原有组成含量的5%以下,抗菌涂层具有长期抑菌效果,转印后对金色葡萄球菌、大肠杆菌、黄曲菌等多种霉菌均有抑制效果,抑菌效果>99%。 (来源:中科院苏州育成中心、苏州市生产力促进中心)

    需求类型:技术难题

    学科领域:新材料及其应用

    投入预算: 按需求

  • 待解决

    耐高温柔性材料技术开发

    随着石油化工、核能、火电(超超临界)、重型燃气轮机等领域自身工艺技术的迅速发展,1000℃以上的耐高温抗氧化柔性材料(作为密封材料)的需求日益突出,目前国内需求基本依靠进口。 具体技术参数要求如下: (1)耐温:1000℃; (2)介质:空气、氦气、蒸汽、熔盐、碳氢化合物等; (3)耐介质压力:4MPa (4)紧密度要求:≤10-4Pa.m3/s (5)具有一定的可压缩性 (6)材料形态:板状或带状,厚度1-4mm 需要无机材料、高分子材料等方向的专家合作开发,可从矿物材料,如蛭石、非石棉类纤维及高分子材料等方向进行研究,并结合本公司的密封技术进行深度开发,突破国外垄断,实现自主化,填补国内空白。 (来源:中科院苏州育成中心、苏州市生产力促进中心)

    需求类型:技术难题

    学科领域:新材料及其应用

    投入预算: 50-150

  • 待解决

    高性能吸波材料的产业化技术

    (1)需要能够量产的高磁导率合金粉的制备技术,以解决高端客户对高性能吸波膜的需求; (2)采用该合金粉制备的薄膜的磁导率需要大于或等于300@3MHz; (3)能够提供完整的合金粉的应用评估手段; (4)需要对5G-40 GHz电磁波有高吸收效果的柔性吸波材的产业化技术。 (来源:中科院苏州育成中心、苏州市生产力促进中心)

    需求类型:技术难题

    学科领域:先进制造技术

    投入预算: 100

  • 待解决

    光电子集成芯片制作与封装工艺

    光电子集成电光发射或光电接收芯片的制作与封装工艺研发。此处芯片制作工艺具体是指在III-V族(铟磷、镓砷等)或硅基材料芯片衬底上,集成直调激光器(DML等)、电光调制器(MZM等)、光电探测器(APD等)等器件。此处芯片封装工艺是指将流片完成后的芯片器件,封装成可以大规模应用的模块器件。 技术指标: (1)调制器:插损

    需求类型:技术难题

    学科领域:先进制造技术

    投入预算: 500

  • 待解决

    TiNiX形状记忆合金材料的熔炼工艺

    TiNiX形状记忆合金材料的熔炼,使用干锅真空熔炼时,在熔炼过程中不可避免的会混入C和O等杂质元素,这就需要严格计算和控制熔炼时间和设备功率等工艺参数,其中熔化时间、精炼时间、感应升温速率等都会影响最终的成品质量,需要明确以上各因素对最终熔炼成品的影响。 技术指标: (1)抗拉强度≥900MPa; (2)杨氏模量:40-80GPa; (3)延伸率≥15%; (4)逆马氏体相变开始温度:260℃; (5)超弹性回复应变≥6%。 (来源:中科院苏州育成中心、苏州市生产力促进中心)

    需求类型:技术难题

    学科领域:先进制造技术

    投入预算: 20

需求服务流程

  • 01 需求提交
  • 02 需求审核
  • 03 平台需求分配
  • 04 服务商响应
  • 05 遴选服务商
  • 06 服务商承接
  • 07 签约付款完成服务
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